现在国人最关心的就是何时能攻克EUV光刻机,这是我们科技发展征途上的唯一拦路虎,所谓的科技战真正能掐脖子的只有EUV光刻机了，只有造出了EUV光刻机，全国人民才能安心，关键时刻还得看华为。

在全球半导体行业面临技术壁垒和地缘政治压力的背景下，华为在芯片制造领域再次传来重大消息。据多方消息来源透露，华为已开始在其东莞工厂测试一款国产的极紫外光刻（EUV）芯片制造设备。如果测试顺利，这项技术突破可能使华为和中国的半导体产业在不依赖荷兰光刻巨 ...

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深紫外（DUV）光刻相比仍存在显著差距。工艺稳定性需要持续监控与微调，而发电设备、专用设备及耗材方面的高额投入，使得 ...

一提芯片，言必称卡脖子、EUV光刻机。 事实上，芯片产业链上，有非常多的节点，如今大部分节点已经悄然突破。像刻蚀机、光刻胶等核心领域，都实现了3nm或者5nm的国产化。 剩下的，把工业王冠上的珍珠，交给时间，不会太久。

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形 ...

EUV光刻机之所以关键，是因为它能够制造5nm及以下的芯片。若要实现这一尺度芯片的大规模生产，EUV技术不可或缺。佳能虽然声称其NIL设备能制造5nm ...

而EUV 光刻设备之所以需要消耗如此巨大的功率，是因为它们依靠高能激光脉冲来蒸发微小的锡滴（在 500,000ºC 下）以形成 13.5nm的EUV光线，这需要大 ...