早年间荷兰光刻机巨头ASML高管曾放出豪言：“即使给中国图纸，他们也造不出光刻机。”多年后的今天，中国科学院宣布全固态深紫外（DUV）激光光源技术突破，直接瞄准3nm芯片工艺。这场逆袭不仅撕碎了外界的嘲讽，更让全球半导体行业意识到：中国正用自主创新的 ...

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

在制程精度上，当前NIL技术仅能达到14nm，而EUV技术已经能够实现5nm的极限制程。制程精度直接关系到芯片的性能和集成度，更高的制程精度意味着 ...

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形 ...

ASML 的 Twinscan EXE 高 NA EUV 光刻工具只需一次曝光即可实现低至 8nm 的分辨率，与单次曝光即可提供 13.5nm 分辨率的低 NA EUV 系统相比，这是一个显着的 ...

EUV光刻机之所以关键，是因为它能够制造5nm及以下的芯片。若要实现这一尺度芯片的大规模生产，EUV技术不可或缺。佳能虽然声称其NIL设备能制造5nm ...