High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...

但芯片制造严重依赖极紫外光刻（EUV）技术，该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下线以来，设备、光罩制作以及 ...

但制造这些芯片严重依赖极紫外 (EUV) 光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下线以来，设备、掩模生成和光刻胶 ...

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

快科技2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在 ...

这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端 ...

快科技2月25日消息，Intel宣布，ASML首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代EUV ...

Extreme-ultraviolet (EUV) lithography at 13.5 nm is expected to be introduced in high-volume semiconductor chip production over the next three years. Research is now underway to investigate sub-10 ...

Extreme ultraviolet (EUV) lithography is the next step in this trend. It uses radiation of wavelength 13.5 nm, thereby offering significant potential to extend the resolution of photolithography.

TNO is a specialist in contamination control for extreme ultraviolet lithography (EUV). We develop modules, research equipment, and strategies for the contamination control of EUV lithography scanners ...