然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

近年来，随着人工智能的快速发展，AI 算力中心的能耗急剧上升，电力供应也面临巨大压力。此前，特斯拉创始人兼 CEO 埃隆·马斯克曾对 AI 所面临的瓶颈做出预测。他认为，AI ...

Efficient Power Conversion Corporation (EPC), the specialist in enhancement-mode gallium nitride (eGaN) power devices ...

Electrical measurements on vertical GaN MOSFETs revealed a current density of 330 mA mm -1 at a drain bias of 5 V, and a ...

UOVednc 图1：5至15V ADP1611升压转换器的应用电路。UOVednc 其输出电压被限制为20V，这主要是ADP1611的输出开关导致的。在ADP1611中添加一个微型GaN FET(例如EPC2051)可将此限制提高到100V以上(图2)。UOVednc 图2：添加了GaN FET的5V至40V升压转换器。UOVednc 图2所示的级联由内部 ...

The GaN Semiconductor Devices market is witnessing rapid expansion due to the growing need for energy-efficient and high-performance technologies. Akash Anand SNS Insider +1 415-230-0044 ...