英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...
驱动电路设计（七）——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用
随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化， 电平位移 驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V 电平位移 型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个 设计案例 ，采用 电平位移 驱动器碳化硅SiC ...