在蛇年春节前夕,又有一家A股公司传出了赴港的消息!12月底,“国内领先的碳化硅衬底龙头”天岳先进(688234.SH)宣布,为加快公司的国际化战略及海外业务布局,增强公司的境外融资能力,公司拟赴港上市。这家谋求“A+H”的科创板企业成色如何?国产碳化 ...
如今所运用的 SiC 籽晶升华法也被称作改良 Lely 法,在 SiC 衬底的生产方面应用十分广泛。 我们可以通过上图(升华法制备 SiC 块状单晶生长示意图)来直观地了解改良 Lely 法的 SiC 晶体生长情况。当石墨坩埚被加热到 2000℃以上时,其中的 SiC 粉末会升华为 Si2C ...
在蛇年春节前夕,又有一家A股公司传出了赴港的消息! 12月底,“国内领先的碳化硅衬底龙头”天岳先进(688234.SH)宣布,为加快公司的国际化战略及海外业务布局,增强公司的境外融资能力,公司拟赴港上市。 这家谋求“A+H”的科创板企业成色如何?
然而,事情并非如此简单:为了在SiC制造领域站稳脚跟,就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃,生长速度至少比Si慢200倍,这就需要大量的能量。另一方面,GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备,GaN外延晶圆还可以在各自的基板 (通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长,温度为1000至1200℃,还不到SiC的一半。此外,SiC晶圆也比Si晶圆薄近50% ...
您认为行业今年取得了哪些新的进步?未来SiC行业的发展方向是什么? 王鹏:(1)2024年取得的新进步 A.材料质量提升:a.SiC单晶的质量得到了显著提高,通过改进生长技术,降低了缺陷率,从而提升了器件的可靠性和性能。b.衬底和外延片的国产化率逐步提升 ...
来自MSN9 个月
浙大成功研制100毫米超厚碳化硅单晶成功生长出100毫米厚的碳化硅单晶,远超传统15~30毫米的厚度标准。 碳化硅(SiC)材料以其宽禁带、高导热率和电子饱和漂移速率等优异特性 ...
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