山东力冠 在12英寸SiC长晶炉领域同样取得了重要进展。该公司已成功研发12英寸PVT电阻加热长晶炉，并完成了首批两台设备的交付，计划在2025年实现12英寸设备的批量供货。这一系列突破将进一步推动国产碳化硅材料进入全球供应链的第一梯队。

对于电子行业来说，这可以提高现有设计的效率，并促进电动汽车和可再生能源转换器向更高电压发展。 这将带来更多益处，如减少原材料和冷却要求（由于相同功率下电流减小）、减小系统尺寸和重量，以及缩短电动汽车的充电时间。 (图 2） MOSFET、二极管或功率模块发生故障会带来灾难性后果。 对于直流快充、电池储能系统和工业太阳能逆变器等关键能源基础设施中的元件来说尤为重要。 从严重的停机维修，到品牌声誉损失 ...

相比之下，SK海力士自去年以来一直在最大限度地提升其10纳米级第五代（1b）工艺的产能，第五代高带宽存储器（HBM3E）等产品销售火爆。该公司还在建设M15X等新工厂，并将老旧工厂和现有封装工厂转型为高带宽存储器（HBM）生产基地。

合计共8家企业展示了12英寸SiC晶锭和衬底： 浙江晶瑞：实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破，晶体直径达309mm； 南砂晶圆：正式展示12英寸导电型SiC衬底。 5月13日，晶盛机电在官微宣布，他们的子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅 ...

工厂于2023年10月完成扩建，初期生产6英寸SiC晶圆，并计划2025年认证8英寸工艺后全面转产8英寸，满产年产能预计超100万片，占安森美SiC总产量的35-40%。

中国厂商TanKeBlue（天科合达）和SICC（天岳先进）近年发展迅速，2024年二者市占率相差无几，分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。其中天科合达是中国本土功率电子市场最大的SiC衬底供应商，而天岳先进则在8英寸晶圆市场中占据领先地位。

2025年4月24日，CSE组委会和充电头网联合举办的2025第三代半导体机器人快充新技术研讨会顺利落幕，本次研讨会邀请到英嘉通营销副总白强带来精彩演讲。 本次研讨会中，白强借助《750V SiC ...

然而，尽管市场前景广阔，但行业对SiC晶圆和器件的可用性及成本的担忧仍在一定程度上阻碍了技术的更广泛应用。 据ITBEAR了解，为了应对这一挑战 ...

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer 表示：“ TSJ技术的推出显著扩展了我们的SiC技术能力。沟槽栅结构与超结技术的结合可以实现更高的效率和更紧凑的设计，这对于性能和可靠性要求极高的应用十分重要。” ...

中国粉体网将于2025年8月21日在江苏苏州·白金汉爵大酒店举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会。 凯盛科技合成高纯二氧化硅已投料试产，电子级硅溶胶可以用于生产CMP抛光液。

满负荷运转时，该工厂每年将能够生产超过一百万片 200 毫米 SiC 晶圆。为了支持 SiC 制造产能的提升，安森美半导体当时表示，计划在未来三年内 ...

TrendForce最新研究，2024年汽车、工业需求走弱，SiC基板出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC基板产业营收年减9％，为10.4亿美元。进入2025年，即便SiC基 ...