总的来说，MOSFET是一种重要、基础和功能强大的电子元件，其结构简单、性能优越、应用广泛，已经成为各种电子设备中不可或缺的组成部分。随着科技的发展，MOSFET技术不断进步，尤其是在集成度、功耗和工作频率等方面，进一步推动了电子技术的创新和发展。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。 1. 阈值电压特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随 ...

经历前几年的快速增长后，中国MOSFET市场正在过渡至一个更成熟的阶段，其特点是竞争加剧及市场饱和。尽管预计未来数年市场增长率将放缓，中国MOSFET市场的总市场规模预计仍将由2024年的约60亿美元增至2029年的约80亿美元，复合年增长率约为6.

2025年4月7日，国家知识产权局发布了一则消息，深圳佳恩功率半导体有限公司获得了一项名为“一种含有ESD保护芯片的集成式SIC-MOSFET结构”的专利。授权公告号为CN222720415U，申请日期为2024年6月。这项专利到底有什么特别之处呢？

在半导体技术不断演进的今天，扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称扬杰电子）近日获得了一项重要专利——“降低寄生电容的SiC MOSFET器件”。这项专利的授权公告号为CN222721862U，彰显了该公司在电力、热力生产和供应领域的持续创新。根据专利摘要显示，该技术主要通过独特布局的氧化物介质层，加厚栅极与源级间的介质层，显著降低寄生电容，从而改善SiC ...

英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立 ...

格隆汇3月24日丨闻泰科技(600745.SH)在互动平台表示，数据中心作为 AI 运算的基础设施，其新建需求大、建设规模大、用电负载大，显著带动了对功率半导体的需求。在AI基础设施方面，公司半导体产品可应用于数据中心不间断电源（UPS）、服务器电源模块（PSU）、功率转换（DC/DC、AC/DC）模块及供电保护等领域。 受益于人工智能的发展，2024 年上半年公司半导体业务在人工智能数据中心、A ...