这也是让该技术目前还停留在概念阶段的主要瓶颈所在。 彭海琳团队运用自主研发的新型高迁移率铋基二维半导体材料（硒氧化铋，Bi2O2Se）及其高介电常数自然氧化物栅介质（Bi2SeO5），将其用于制作最先进的二维环栅晶体管，可谓对晶体管进行“跨代升级”。

彭海琳团队运用自主研发的新型高迁移率铋基二维半导体材料（硒氧化铋，Bi2O2Se）及其高介电常数自然氧化物栅介质（Bi2SeO5），将其用于制作最 ...

此前，他们曾开发出一种超高迁移率二维铋基半导体——硒氧化铋（Bi2O2Se），并开发出一种高 κ 原生氧化物栅介质材料。基于这一体系，该团队曾 ...