2025中国半导体设备和材料展，中国企业新凯来首次亮相，引起了全社会关注，13个类别，31款产品，展示了中国半导体设备全系列的突破。这也引起了大家对于芯片设备的广泛关注，我看到两个说法，我看都有些不妥，需要指出来：1.一种说法是中国已经研发出5nm的 ...

日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

近日上海国际半导体展（SEMICON ...

据Wccftech报道，有消息人士依据Kiwoom证券发布的报告数据指出，中芯国际将在2025年完成5纳米芯片开发。值得注意的是，中芯此番依靠的并非EUV微影设备，而是深紫外光（DUV）微影设备。 这种技术路径的选择带来了一些不可避免的问题。数据显示 ...

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

在制程精度上，当前NIL技术仅能达到14nm，而EUV技术已经能够实现5nm的极限制程。制程精度直接关系到芯片的性能和集成度，更高的制程精度意味着 ...

ASML 的 Twinscan EXE 高 NA EUV 光刻工具只需一次曝光即可实现低至 8nm 的分辨率，与单次曝光即可提供 13.5nm 分辨率的低 NA EUV 系统相比，这是一个显着的 ...

ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。

英伟达、AMD和英特尔的尖端AI芯片已普遍采用EUV制造的5nm和3nm工艺，而向2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的演进将进一步增强对EUV技术的依赖。 在HBM领域，三星、美光、SK海力士正选择性部署EUV技术，虽然存储单元阵列仍以采用DUV为主，但逻辑电路等关键零件已开始 ...

EUV光刻机之所以关键，是因为它能够制造5nm及以下的芯片。若要实现这一尺度芯片的大规模生产，EUV技术不可或缺。佳能虽然声称其NIL设备能制造5nm ...

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm， 低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形 ...