在 开关模式电源 中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在 开关模式电源 中的未来前景。 本文引用地址： ...

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于达尔科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充电器方案。

当开关频率从 10kHz 增加到 20kHz 时，MOSFET 型驱动器会让总体损耗增加 20%至 30%，这对于人形机器人是不可接受的。此外，GaN FET 在高频下具有较低开关损耗。在 TIDA-010936 测试中，电路板损耗在 40kHz 和 80kHz 下几乎相同，因此 GaN 特别适合高开关频率场景。

（本文编译自electronicdesign）氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围 ...