前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

国内的研究也十分火热。化合积电作为我国率先开展GaN&Diamond研究的企业，取得了突破性进展。现有GaNonDiamond、DiamondonGaN以及GaN&Diamond键合所需金刚石热沉片，对标国际*。化合积电现有金刚石热沉片和晶圆级金刚石产品技术指标达到世界*的水平，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm，金刚石热沉片的热导率达1000-2000W/m.K。

SC5016大功率IGBT静态参数测试系统是面向第三代半导体技术研发的高精度检测设备，可完成全规格封装类型功率半导体器件的 ...

在第三代半导体技术加速迭代的背景下，国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）正通过资本杠杆撬动化合物半导体产业链的关键环节。近期，大基金二期先后入股光学检测设备商昂坤视觉、膜技术企业神州半导体，并持续增持士兰明镓等化合物半导体制造企业，展现出对碳化 ...

根据AI大模型测算芯导科技后市走势。短期趋势看，连续2日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码减仓，但减仓程度减缓。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。

2025（春季）亚洲充电展正式定档！将于3月28日在深圳前海国际会议中心举办，目前已有多家行业内知名第三代半导体企业报名参展。 亚洲充电展（ Asia Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区 ...

与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...

电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎··· 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术 ...

在电动汽车领域，弗劳恩霍夫美国研究中心在2024年取得突破性进展：科研团队成功利用人造金刚石制备出晶圆级纳米薄膜（厚度不足发丝直径的1/100），并将其集成至电子元件中。实验数据显示，该技术可将局部热负荷降低至原有水平的1/10，从而显著提升电动汽车的道路性能与使用寿命，同时缩短电池充电时间。

智通财经APP获悉，方正证券发布研报称，数据中心供配电因用电特殊性，电源价值量及冗余配置大幅提升，机柜内国内27年远期规模测算在150亿左右;机柜外则因为非标+定制化需求更高，带来更多溢价。液冷方面，冷板式逐步放量。从技术演进角度：冷板式仍为主流，浸没式液冷需冷却液降本驱动。另在配套设备方面，SiC基APF和SVG产品与数据中心行业有较大的契合度，数据中心行业用户对SiC基低压电能质量产品接受度开 ...

大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案。