前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

国内的研究也十分火热。化合积电作为我国率先开展GaN&Diamond研究的企业，取得了突破性进展。现有GaNonDiamond、DiamondonGaN以及GaN&Diamond键合所需金刚石热沉片，对标国际*。化合积电现有金刚石热沉片和晶圆级金刚石产品技术指标达到世界*的水平，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm，金刚石热沉片的热导率达1000-2000W/m.K。

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计、出色的散热性、高电流容量和卓越的开关性能，越来越多地被应用于需要高功率处理的应用，特别是在工业设备和汽车系统内部。对于此次发布，封装制造已外包给经验丰富的OSAT（Outsourced ...

最新产品在TOLL封装中集成了第二代GaN-on-Si芯片，在关键器件指标——导通电阻与输出电荷的乘积(RDS(ON) × Qoss)方面，提供了行业领先的性能。这一进步支持了在需要高耐压和快速开关速度的电源系统中进一步实现小型化并提高能效。 为了实现大规模生产 ...

本文引用地址： 为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内 ...

在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。 新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (RDS（ON） ×Qoss* 2 ...

英飞凌在 ...

[导读]在半导体技术持续迭代的进程中，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)器件作为第三代半导体的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，正逐步改写着电子产业的格局，成为推动众多领域变革的关键力量。深入了解这两种器件的特性、应用现状以及未来市场走向，对于把握 ...