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近日，南京理工大学材料学院曾海波、陈翔教授团队在后摩尔时代芯片关键沟道材料研究领域取得重大突破，成功开发出高性能二维 P 型半导体材料 β-Bi2O3 。相关成果以“ Vapour–liquid–solid–solid growth of ...
15 天
加州大学圣巴巴拉分校的研究人员利用二维 (2D) 半导体技术，研发出新型三维 (3D) 晶体管，这是半导体技术的重大进步。他们的方法为具有前所未有的微型化潜力的节能、高性能电子产品铺平了道路。
在第一篇文章和第二篇文章中我们重点介绍了SiC JFET并联设计的挑战，本文将介绍演示和测试结果。 图 1 显示了演示和测试板，其中包括一块并联了 ...
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