Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ...

Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持，整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展··· 2025 年 2 月 12 日，美国北卡罗来纳 ...

商用的Si MOSFET 耐压普遍不超过900V，而 SiC 拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低 MOSFET 的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。

一、前言在半导体领域，空穴（hole）是一个非常重要的概念，它与电子共同构成了半导体中电流传导的基础载流子，直接影响、决定了半导体材料的电学特性以及各类半导体器件的工作机制。因此，对于广大数码科技爱好者朋友来说，初步理解空穴的概念、产生过程以及其在半 ...

根据AI大模型测算ST华微后市走势。短期趋势看，连续3日被主力资金减仓。主力轻度控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，目前市场情绪悲观。

本报讯 （记者张敏）3月20日， 赛晶科技 集团有限公司（以下简称“ 赛晶科技 ”）发布2024年业绩报告，公司去年实现销售收入16.1亿元，同比增长52.7%；归母净利润1.025亿元，同比增长225.4%。

【内容部分有删减·详细可参中智信投研究网出版完整信息！】 在现代电力电子与半导体技术飞速发展的今天，N沟道功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为电力电子器件中的重要成员，凭借其独特的性能和广泛 ...

在Intel 800系主板上市之后，已经给大家介绍过了ROG、ROG STRIX、TUF GAMING等多个系列的产品，最近我们又迎来了华硕对创作者推出的ProArt创艺国度系列最新型号——ProArt Z890-Creator ...

以4K分辨率下，这款处理器会有怎样的性能表现，该处理器除了本身和X3D模式外，还有一些其它的玩法，不同“状态”下的锐龙9 9950X3D，又会带来怎样不同的体验？

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC ...

韩国首尔 - 市值1.503亿美元、当前股价4.04美元的半导体制造商Magnachip Semiconductor Corporation（纽交所代码：MX）宣布推出新一系列第六代（Gen6）超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFETs）。根据 InvestingPro 数据显示，尽管市场面临挑战，该公司仍保持21.66%的健康毛利率。此次推出25款新Gen6 SJ ...

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（东芝电子元件和存储株式会社，简称“东芝”）推出了具有+6.8A/-4.8A ...