采用 SiC MOSFET 可以显著提高 PFC 和 LLC 级的能效。 安森美 的 650 V M3S EliteSiC MOSFET 能够大幅提升超大规模数据中心的 PFC 和 LLC 级的能效。650 V M3S EliteSiC MOSFET ...

损坏的器件不要丢，要做失效分析！芯片开路失效分析芯片时序问题导致的“失效”NC（not connect pin）管脚短路导致的芯片失效 ...

盖世汽车讯 4月17日，氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术公司纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布推出其最新的SiCPAK™功率模块。该模块采用环氧树脂灌封技术，并由专有的沟槽辅助平面SiC ...

MOSFET作为开关器件，在驱动电路中主要用于控制电流的通断，比如在DC-DC转换器、电机驱动或者功率放大电路中。它的开关过程（开和关）会直接影响电路的效率、发热和可靠性。“慢开快关”的这个设计原则，背后有什么电路设计原理呢？咱们从MOSFET的工作 ...

我们对图片、视频和其他内容的无尽需求 ... 该拓扑通常用于数据中心 3 kW 至 8 kW 系统电源中的 PFC 功能块(图 2)。图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大 ...

在正常运行期间，此升压转换器处于空闲状态，并由低欧姆 600 V CoolMOS SJ MOSFET 旁路。 图 3. 第一代 AI PSU 拓扑和设备技术示例。图片由 Bodo’s Power Systems 提供 图 4. 第二代 AI PSU 拓扑和设备技术示例。图片由 Bodo’s Power Systems 提供 第二代 AI PSU 增加线电压 ...

（中）金刚石 MOSFET 的光学显微镜图像。（右）在 300°C 下测量的 MOSFET 性能。当栅极电压 (Vg) 从 -20 V（黑线表示）增加到 10 V（黄线表示）时，漏极电流增加。图片来源：Satoshi Koizumi、Meiyong Liao 国家材料科学研究所 该国立材料科学研究院的研究团队开发出一种 ...

近期，又有一家来自深圳的半导体公司赴港上市。 格隆汇获悉，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（简称“尚鼎芯”）于4月初向港交所递交了招股书，金联资本（企业融资）有限公司担任独家保荐人。

人民财讯4月18日电，士兰微 ...

MOSFET（金属氧化物半导体场效电晶体）概念股富鼎（8261）在第一季营收受到淡季影响衰退，但受惠于产品组合的优化，单季毛利率回升至约37%。富鼎今日开盘带量震盪，早盘涨幅一度达约8%，随后收敛，盘中上涨约1.5%。