集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同 ...

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC ...

芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC ...

据芯联集成在投资者互动平台的介绍，该公司的1200V车载主驱逆变器已经实现量产，成为国内最早在这一领域具有量产能力的企业。同时，1700V的平面SiC MOSFET在业界也处于领先水平，广泛应用于新能源光伏逆变器系统。这一系列技术突破不仅保证了充电速度的提升与动力的增强，更推动了电动汽车能源效率的大幅提升。

该电源同时号称是“全球首款采用服务器级英飞凌碳化硅（SiC）MOSFET 的消费级电源”，强调“能够通过降低工作温度和优化散热来提高效率，在稳定性与节能方面实现较好平衡”。

这电路的核心在于QOFF也就是关断NPN和DON开通二极管的配合，QOFF在关断期间通过基极-发射极结与MOSFET栅极-源极形成局部短路 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源：NoMIS ...

EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ 1200V碳化硅MOSFET模块的三相电机驱动 电路板 。开发该 评估板 的目的是为了在客户使用Easy1B封装的CoolSiC™ ...

AOGT66909采用的GTPAK封装通过顶部散热设计实现了热管理路径的全面升级。该封装表面具有大尺寸裸露焊盘可直接对接外部散热片，使热量无需依赖PCB板传导即可高效消散，有效降低了对基板材料的要求。这一设计可有效为高密度电源模块节省空间，同时允许客 ...

全球范围内，半导体分立器件诞生于上世纪中期。20世纪50年代，功率二极管、功率三极管的面世并应用于工业和电力系统;20世纪60-70年代，晶闸管等分立器件快速发展;20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来;20世纪80年代后期，沟槽型功率M ...

技嘉作为NVIDIA核心合作伙伴，旗下的RTX 5080系列显卡产品也全线上阵，其中的AORUS GeForce RTX 5080 XTREME WATERFORCE 16G水雕（以下简称RTX 5080 EXTREME水雕）不但用料和规格都超越公版 ...