NAND闪存将单元串联排列以实现高密度 ... 每个闪存单元的核心都是一个 MOSFET，它带有一个夹在控制栅极和基板之间的附加浮栅。编程时，高电压 ...

例如，主流芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格从上周的1.673美元上涨至本周的1.720美元，涨幅达2.81%。 相比之下，NAND闪存市场的表现则有所不同。受制于某国实施关税政策后的短期需求下降预期，NAND现货市场笼罩在不确定性之中。终端买家开始调整采购策略 ...

上一篇文章我们介绍了MOSFET导通过程中的开关损耗的计算方法，接下来就讲一下MOSFET在关断过程中的交叉损耗计算，主要是要估算关断时的交叉时间，然后算出功耗。 MOSFET关断时，漏源电压Vds和电流ID不是瞬间变成0的，会有个过渡过程。这段时间里，电压和电流 ...

MOSFET导通过程中的开关损耗这部分内容是关于MOSFET在开关过程中的交叉损耗Cross Loss计算，主要涉及导通时间的估算和功耗分析。公式是什么？如何计算呢？设计中又有哪些需要注意的地方？接下来就把它通俗易懂地讲一下。以下分析基于MOSFET驱动感性负载哦 ...