近日，国家知识产权局公布了一项由深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利，名为“一种提升Power MOSFET鲁棒性的N型源极制造方法”。这一技术突破引发了行业内的广泛关注。Power MOSFET作为电子设备中的核心元器件，其性能直接决定了设备的稳定性和可靠性。

盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源：NoMIS ...

矽源特ChipSourceTek-MX6005S Description: 矽源特ChipSourceTek-MX6005S是VDS=-60V, ID=-5A,RDS(ON)(Typ.)=53mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=69mΩ@VGS=-4.5V的P沟道 ...

2025（春季）亚洲充电展正式定档！将于3月28日在深圳前海国际会议中心举办，目前已有多家行业内知名第三代半导体企业报名参展。 亚洲充电展（ Asia Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区 ...

面对辉达（NVIDIA）晶片运算规模提升，台达电逐步打造「从电网到晶片」（From Grid To Chip）全方位解决策略，包含电源供应、电源管理及散热管理一应俱全，未来Rubin、Feynman平台上线，台达可望在电源升级上，自Pow ...

在现代汽车电子系统中，栅极驱动正悄然扮演着“隐形英雄”的角色。每一个功率器件背后都有着至少一颗栅极驱动芯片。作为连接低压控制器与高功率电路的桥梁，栅极驱动不仅是功率器件高效运行的“指挥官”，更是提升电动汽车性能、可靠性和能效的关键推手。无论是电机驱动 ...

GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

本次会议上，英飞凌展示了其在人工智能（AI）、机器人、氮化镓（GaN）等前沿技术上的突破，其中300mm氮化镓功率半导体晶圆与20μm超薄硅功率晶圆是首次在中国公开展示。会上发布的四款重磅新品，全面诠释了其在AI、机器人、边缘计算及第三代半导体领域的 ...

闻泰科技称，基于测算，本次交易预计构成《重组管理办法》规定的上市公司重大资产重组。2023年和2024年，公司产品集成业务收入分别为443.15亿元、586.09亿元（未经审计），占公司营业收入的72.39%、79.46%。

图4中的电路图显示了在参数仿真中使用MOSFET的电路，其中温度变化范围为-10°C至180°C ... lN6ednc (原文刊登于EDN姊妹网站Power Electronics News，参考链接：SPICE Course for Electronic Simulation, Part 16: Graphs with Abscissas Different from ...