英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode ...

矽源特ChipSourceTek-MX6005S Description: 矽源特ChipSourceTek-MX6005S是VDS=-60V, ID=-5A,RDS(ON)(Typ.)=53mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=69mΩ@VGS=-4.5V的P沟道 ...

AGM318D结合了先进的沟槽MOSFET技术和低阻封装，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

同时，Nexperia的X.PAK封装使表面贴装组件具备低电感特性，并支持自动化电路板封装流程。 新款X.PAK封装器件具备Nexperia SiC MOSFET一贯的优异品质因数(FoM)。其中，RDS(on)作为关键参数，对导通损耗影响显著。然而，许多制造商往往仅关注该参数(常温)的标称值 ...

MPM3519 是一款频率可调（200kHz 至 2.5MHz）的同步降压电源模块。该器件集成低导通电阻 (RDS(ON))功率 MOSFET 和电感，可提供 10A 连续输出电流 (IOUT)，同时采用MPS 特有的零延迟 PWM (ZDPTM ) 控制技术，以提供超快瞬态响应，并减少对昂贵外部电容的需求。 MPM3519 具有的3 ...

MP2772 还提供电池 MOSFET 禁用控制以进入运输模式，并通过 /DISC 引脚提供系统引脚复位功能。 MP2772 采用 WLCSP-30（2.5mm x 2.85mm）封装，适用于空间有限的设计。 运输模式下的电池放电电流低于 5μA 集成 30mΩ 低导通电阻 (RDS(ON))电池 MOSFET，具有运输模式和系统电源 ...

[导读]纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极；当栅极电压小于截止电压时，两个MOS管都处于截止状态 ...