英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode ...

这对于需要高速生产和高质量标准的现代电子设备制造商而言，具有重要意义。 在性能方面，Nexperia的SiC MOSFET继续秉持其在行业内的领先地位，特别是在RDS(on)这一关键指标上。RDS(on)值直接影响到器件的导通损耗，然而许多制造商往往只关注其标称值。Nexperia ...

矽源特ChipSourceTek-MX6005S Description: 矽源特ChipSourceTek-MX6005S是VDS=-60V, ID=-5A,RDS(ON)(Typ.)=53mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=69mΩ@VGS=-4.5V的P沟道 ...

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC MOSFET结合后，LLC在高频、高温、高可靠性场景中的性能进一步提升，成为下一代高效电源系统的关键技术。

同时，Nexperia的X.PAK封装使表面贴装组件具备低电感特性，并支持自动化电路板封装流程。 新款X.PAK封装器件具备Nexperia SiC MOSFET一贯的优异品质因数(FoM)。其中，RDS(on)作为关键参数，对导通损耗影响显著。然而，许多制造商往往仅关注该参数(常温)的标称值 ...

EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 新产品在其他电商平台也将逐步发售。 *1）导通电阻（RDS(on)） MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。 *2）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流 ...

MPM3519 是一款频率可调（200kHz 至 2.5MHz）的同步降压电源模块。该器件集成低导通电阻 (RDS(ON))功率 MOSFET 和电感，可提供 10A 连续输出电流 (IOUT)，同时采用MPS 特有的零延迟 PWM (ZDPTM ) 控制技术，以提供超快瞬态响应，并减少对昂贵外部电容的需求。 MPM3519 具有的3 ...

真正推动SiC技术广泛应用的重要转折点出现在电动汽车领域。特斯拉在其Model 3车型中首次大规模采用了SiC ...

在现代汽车电子系统中，栅极驱动正悄然扮演着“隐形英雄”的角色。每一个功率器件背后都有着至少一颗栅极驱动芯片。作为连接低压控制器与高功率电路的桥梁，栅极驱动不仅是功率器件高效运行的“指挥官”，更是提升电动汽车性能、可靠性和能效的关键推手。无论是电机驱动 ...

集成的低RDS（on）MOSFET应用方案，可以实现BOM面积的最小化和充电效率的最大化。内置环路补偿简化了电路和设计。 杰华特JW5027电流模式单片降压 ...