如今所运用的 SiC 籽晶升华法也被称作改良 Lely 法,在 SiC 衬底的生产方面应用十分广泛。 我们可以通过上图(升华法制备 SiC 块状单晶生长示意图)来直观地了解改良 Lely 法的 SiC 晶体生长情况。当石墨坩埚被加热到 2000℃以上时,其中的 SiC 粉末会升华为 Si2C ...
在蛇年春节前夕,又有一家A股公司传出了赴港的消息!12月底,“国内领先的碳化硅衬底龙头”天岳先进(688234.SH)宣布,为加快公司的国际化战略及海外业务布局,增强公司的境外融资能力,公司拟赴港上市。这家谋求“A+H”的科创板企业成色如何?国产碳化 ...
在蛇年春节前夕,又有一家A股公司传出了赴港的消息! 12月底,“国内领先的碳化硅衬底龙头”天岳先进(688234.SH)宣布,为加快公司的国际化战略及海外业务布局,增强公司的境外融资能力,公司拟赴港上市。 这家谋求“A+H”的科创板企业成色如何?
您认为行业今年取得了哪些新的进步?未来SiC行业的发展方向是什么? 王鹏:(1)2024年取得的新进步 A.材料质量提升:a.SiC单晶的质量得到了显著提高,通过改进生长技术,降低了缺陷率,从而提升了器件的可靠性和性能。b.衬底和外延片的国产化率逐步提升 ...
六方半导体是一家半导体新材料研发商,致力于半导体热场材料的研发,聚焦于各类高端涂层技术在半导体产业中的应用。公司主要产品为 LED 芯片外延用 SiC 涂层基座、硅单晶外延基座、第三代半导体外延基座和组件、碳化钽涂层等。目前已经广泛应用于LED、SiC、GaN、单晶硅等芯片外延领域。近日六方半导体获得B+轮融资。
来自MSN9 个月
浙大成功研制100毫米超厚碳化硅单晶成功生长出100毫米厚的碳化硅单晶,远超传统15~30毫米的厚度标准。 碳化硅(SiC)材料以其宽禁带、高导热率和电子饱和漂移速率等优异特性 ...
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