国产碳化硅衬底龙头，业绩表现如何？

在春节前夕，国内碳化硅衬底龙头企业天岳先进（688234.SH）宣布计划赴港上市，以加快其国际化战略和增强境外融资能力。这一消息引发了市场的广泛关注，表明公司意图借助香港资本市场的发展机会，加速拓展海外业务。天岳先进成立于2010年，专注于碳化硅（S ...

知名机构Yole预测 到2029年，SiC器件市场的价值预计将接近100亿美元，2023年至2029年的复合增长率为24%。 汽车行业（包含新能源汽车、电动两轮车和铁路机车）推动了SiC器件的增长，根据Yole的统计，汽车行业（包含新能源汽车、电动两轮车和铁路机车）在2023年占据了SiC器件市场的大部分（占比为73%），预计到2029年这一占比将进一步增长。

如今所运用的 SiC 籽晶升华法也被称作改良 Lely 法，在 SiC 衬底的生产方面应用十分广泛。 我们可以通过上图（升华法制备 SiC 块状单晶生长示意图）来直观地了解改良 Lely 法的 SiC 晶体生长情况。当石墨坩埚被加热到 2000℃以上时，其中的 SiC 粉末会升华为 Si2C ...

2024年6月6日，美国初创公司Diamond Quanta宣布其专有的新型金刚石半导体制造和掺杂技术取得了重大突破。该公司成立于2024年1月，总部位于加利福尼亚。该公司还于去年9月被选中加入Plug and Play著名的半导体和光子加速器计划。

您认为行业今年取得了哪些新的进步？未来SiC行业的发展方向是什么？ 王鹏：（1）2024年取得的新进步 A.材料质量提升：a.SiC单晶的质量得到了显著提高，通过改进生长技术，降低了缺陷率，从而提升了器件的可靠性和性能。b.衬底和外延片的国产化率逐步提升 ...

新能源企业淮南益恒光伏科技有限公司的“单晶钙钛矿太阳能电池”项目成功斩获本次大赛的最高奖项之一——优秀奖。 本次参赛的项目由淮南益恒光伏科技有限公司技术研发团队携手中国科学技术大学、苏州大学联合成立产学研专业课题小组研究，针对单晶钙 ...

然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延晶圆还可以在各自的基板 (通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长，温度为1000至1200℃，还不到SiC的一半。此外，SiC晶圆也比Si晶圆薄近50% ...

根据AI大模型测算瑞纳智能后市走势。短期趋势看，连续3日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码减仓，但减仓程度减缓。舆情分析来看，1家机构预测目标均价49.00，高于当前价120.82%。目前市场情绪极度悲观。

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