SK On 计划在 2028~2033 年向日产供应 合计近 100GWh 的美国制造高性能高镍软包电池 ，这些电池将用于日产位于美国密西西比州坎顿（IT之家注：Canton）汽车组装工厂的新一代电动汽车。

SK海力士表示：“公司将展示12层HBM3E产品以外，还将展出作为新一代AI服务器的存储器标准而备受瞩目的SOCAMM*，展现面向AI的存储器领先技术实力。” * 小型压缩附加内存模组（SOCAMM，Small Outline Compression ...

得益于SK Innovation的电池子公司SK On与日本日产签订的15万亿韩元规模的电池供应合同,SK电池相关股价在开盘初期呈现出强势。20日，据韩国交易所透露，以上午9时30分为准，电池用隔膜制造公司SK I E ...

其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用 HBM 3E 内存 ；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代 HBM 4 内存 ；后年下半年的Rubin Ultra ...

彭博社知情人士今年2月透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。

Investing.com — 韩国电池制造商SK On周三宣布，已与日产汽车签订新合同，将为其在美国生产的电动汽车提供电池。 这些电池将用于日产下一代电动汽车，这些车型计划在该汽车制造商位于密西西比州的工厂生产。 据这家韩国公司透露，供应合同将于2028年开始，持续六年时间。 此次宣布标志着SK On与日产汽车在电动汽车生产领域合作的重要里程碑。 本文由人工智能协助翻译。更多信息，请参见我们的使 ...

《科创板日报》17日讯，继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于三星电子、SK海力士进行减产，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价。NAND价格回涨速 ...

揭秘！这四巨头如何吃掉AI芯片每一分钱？,英伟达,gpu,台积电,英特尔,黄仁勋,amd,ibm ...

在全球科技界激荡着不安分的潮流之际，3月19日，韩国半导体巨头SK海力士正式向客户推出其最新大作——12层HBM4，这款面向人工智能的超高性能DRAM新产品将引领储存技术的新风口。此举不仅为追赶AI浪潮的企业提供了强大动力，也为正在紧锣密鼓推进AI技术的各界人士注入了一剂强心针。

日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

IT之家 3 月 21 日消息，在英伟达年度开发者大会 GTC 2025 上，该公司首席执行官黄仁勋参观了三星展台，并高度赞赏三星的 GDDR7 显存。这一举动被视为化解了此前在 CES 2025 上因内存供应商选择引发的争议。

江波龙董事长、总经理蔡华波发表了题为《存储商业・综合创新》的主旨演讲，全面展示了公司在存储技术、商业模式及全球化布局等方面的最新成果，彰显了其向半导体存储品牌企业转型的坚定决心与强大实力。