TO-220/220F：TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫 ... 是目前主流封装之一。 采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。 其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流 ...

ASE‌20N45 MOS管‌作为新一代高压MOSFET的标杆产品，凭借其‌20A大电流承载能力‌、‌450V ... 搭配PCB散热铺铜可实现100W+功率耗散。封装体积与传统TO-220兼容，却无需额外绝缘垫片，简化装配流程。‌ ‌工业电源与数据中心‌ 在3kW以上服务器电源和模块化UPS中 ...

STL220N6F7不仅是一个功率开关器件，更是电力电子系统设计理念的转折点。它用1.2mΩ的导通电阻改写着能量转换的法则，用98nC的栅电荷重新定义开关速度的边界，用900mJ的雪崩能量构筑起系统安全的护城河。当这项技术渗透到每个电机驱动器、每台数据中心电源、每座光伏电站时，我们正在见证一个更高效、更紧凑、更智能的电气化未来悄然成形。这场始于半导体沟槽深处的技术革命，终将照亮人类可持续发展的前路 ...

功率器件(如MOSFET、IGBT和二极管)需要适当的封装设计 ... 最常见的封装包括通孔封装(如TO-247和TO-220)、带引线的SMT器件(如D2PAK、DPAK、SO-8)以及无引线类型(如TOLL、PQFN和CSP封装)，这些封装也可用于大电流。图2显示了9针多引线功率封装的一个示例，以及其他类型 ...

虽然输入接口电路设计用于接受来自不同类型传感器的不同电压水平，但输出接口电路需要产生更大的电流驱动能力和/或电压水平。输出信号的电压水平可以通过提供开集电极（或开漏极）输出配置来增加。即晶体管的集电极端子（或MOSFET的漏极端子）通常连接到负载。

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...