早年间荷兰光刻机巨头ASML高管曾放出豪言：“即使给中国图纸，他们也造不出光刻机。”多年后的今天，中国科学院宣布全固态深紫外（DUV）激光光源技术突破，直接瞄准3nm芯片工艺。这场逆袭不仅撕碎了外界的嘲讽，更让全球半导体行业意识到：中国正用自主创新的 ...

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。 之前三星计划在2025年投产2nm，2027年投产1.4nm，如今将2027年的计划取消，但2nm还是会投产，毕竟2nm芯片已经准备的差不多了。

快科技3月16日消息， 三星的FS1.4 1.4nm级工艺原定于2027年投入量产，但现在可能无法达成预期而被迫取消。 SF2 2nm将用来生产自家的Exynos 2600手机处理器，也有日本Prefered ...

ASML 的 Twinscan EXE 高 NA EUV 光刻工具只需一次曝光即可实现低至 8nm 的分辨率，与单次曝光即可提供 13.5nm 分辨率的低 NA EUV 系统相比，这是一个显着的 ...

AMD锐龙R5 7500F处理器，作为锐龙7000系列的一员，采用全新Zen4架构和台积电5nm制程工艺，拥有6核12线程的强大配置，最高加速频率可达5.3GHz，单线程性能提升显著，综合表现出色。它支持PCIE5.0、WiFi 6E以及DDR5内存，并兼容AM4散热器，同时配备核芯显卡，为用户带来 ...

2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV ... 比前代Low-NA光刻机的13.5nm提升了多达40％，晶体管密度也提高了2.9倍。 当然，Low-AN光刻 ...

据Intel透露，新款EUV光刻机的可靠性相较于上一代提升了约两倍，尽管具体数据尚未公开。而在性能方面，ASML EXE:5000光刻机单次曝光的分辨率可达8nm，相较于前代Low-NA光刻机的13.5nm，提升幅度高达40%，同时晶体管密度也实现了2.9倍的增长。值得注意的是 ...

快科技2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的 ... 比前代Low-NA光刻机的13.5nm提升了多达40％，晶体管密度也提高了2.9倍。