2025年3月26日至28日，SEMICON China 2025在上海新国际博览中心举行，吸引1300余家展商。新凯来首次高调参展，展示EPI（峨眉山系列）、ALD（阿里山系列）及28nm光刻机等设备，展台人气火爆，获 中芯国际 ( 90.400, ...

早年间荷兰光刻机巨头ASML高管曾放出豪言：“即使给中国图纸，他们也造不出光刻机。”多年后的今天，中国科学院宣布全固态深紫外（DUV）激光光源技术突破，直接瞄准3nm芯片工艺。这场逆袭不仅撕碎了外界的嘲讽，更让全球半导体行业意识到：中国正用自主创新的 ...

而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。 之前三星计划在2025年投产2nm，2027年投产1.4nm，如今将2027年的计划取消，但2nm还是会投产，毕竟2nm芯片已经准备的差不多了。

快科技3月16日消息， 三星的FS1.4 1.4nm级工艺原定于2027年投入量产，但现在可能无法达成预期而被迫取消。 SF2 2nm将用来生产自家的Exynos 2600手机处理器，也有日本Prefered ...

有传闻称，自主研发的 EUV 机器采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，该技术路线不同于 ASML 所采用的 LPP 方法。 近期，上海微电子光刻机重大扩 ...

在竞争对手增强生产能力的同时，美光对EUV采取了谨慎的态度。 美光公司上个月推出了第六代DRAM的原型，成为存储器半导体行业中第一个推出第六 ...

2024年，中芯国际联合天仁微纳实现NIL技术5nm制程验证，单位能耗较EUV降低40%，设备成本缩减至三分之一。更值得关注的是，这项技术巧妙规避了EUV光源难题，如同用活字印刷替代激光刻录，在硅晶圆上"盖章"成形。 第二条战线是直接蚀刻技术的颠覆性突破。

ASML 的 Twinscan EXE 高 NA EUV 光刻工具只需一次曝光即可实现低至 8nm 的分辨率，与单次曝光即可提供 13.5nm 分辨率的低 NA EUV 系统相比，这是一个显着的 ...

英特尔计划在未来几年使用这些机器生产其14A（1.4nm级）芯片。 ASML的Twinscan EXE高NA EUV光刻工具只需一次曝光即可实现低至8nm的分辨率，与单次曝光即可提供13.5nm分辨率的低NA EUV系统相比，这是一个显着的改进。虽然当前一代的低NA EUV工具仍可通过双重图案化实现 ...

如下图所示，2020年的时候，台积电芯片工艺进入了5nm，然后在2022年时，又进入了3nm，计划在2025年时进入2nm工艺。 但5nm这个工艺上，台积电还有几种 ...

英伟达、AMD和英特尔的尖端AI芯片已普遍采用EUV制造的5nm和3nm工艺，而向2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的演进将进一步增强对EUV技术的依赖。 在HBM领域，三星、美光、SK海力士正选择性部署EUV技术，虽然存储单元阵列仍以采用DUV为主，但逻辑电路等关键零件已开始 ...