High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...

但芯片制造严重依赖极紫外光刻（EUV）技术，该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下线以来，设备、光罩制作以及 ...

快科技2月25日消息，Intel宣布，ASML首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代EUV ...

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深 ...

Extreme-ultraviolet (EUV) lithography at 13.5 nm is expected to be introduced in high-volume semiconductor chip production over the next three years. Research is now underway to investigate sub-10 ...

在竞争对手增强生产能力的同时，美光对EUV采取了谨慎的态度。 美光公司上个月推出了第六代DRAM的原型，成为存储器半导体行业中第一个推出第六 ...

Extreme ultraviolet (EUV) lithography is the next step in this trend. It uses radiation of wavelength 13.5 nm, thereby offering significant potential to extend the resolution of photolithography.

Silicon photodiodes for detection of UV and EUV photon. The SXUV series diodes show less than 2% responsivity change after exposure to billions of 10 micrjoule/cm2 pulses from 157 and 193 nm excimer ...