EUV光刻机的波长为13.5nm，而100KeV电子束的波长只有0.004nm，波长短使其在分辨率方面与EUV相比有绝对的优势，也使得电子束能够实现EUV光刻都实现不了 ...

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和英伟达现正 ...

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。

历经六十余载发展，成就斐然。 在产品方面，以半导体光罩与晶圆检测设备为主，核心产品 EUV 光刻制造测试设备更是独树一帜，全球唯有它为 EUV ...

一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），有望大幅提升芯片制造效率，开启“超越EUV”的新时代。 在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等 ...

[导读]1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定基础。 1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器 ...

快科技1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定 ...

而光刻机，作为芯片制造中的核心设备，更是被誉为“芯片制造皇冠上的明珠”。其中，EUV（极紫外光）光刻机更是以其高精度、高效率的特点，成为制造先进制程芯片的关键设备。然而，EUV光刻机的制造难度极大，长期以来一直是全球科技界的一大挑战。

中国高端制造再传捷报！据哈尔滨工业大学消息，该校航天学院赵永蓬教授团队研发的放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源，凭借颠覆性技术成果，荣获2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这一技术的突破，不仅绕过了ASML的技术壁垒 ...

NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是 ...