采用 SiC MOSFET 可以显著提高 PFC 和 LLC 级的能效。 安森美 的 650 V M3S EliteSiC MOSFET 能够大幅提升超大规模数据中心的 PFC 和 LLC 级的能效。650 V M3S EliteSiC MOSFET ...

2025年4月11日，来自无锡工芯电子科技有限公司的最新消息引起电子行业的广泛关注。该公司近日申请了一项名为“一种SiC功率MOSFET的驱动电路”的专利，公开号为CN119787772A。这项新技术的推出，将为N沟道SiC功率MOSFET的驱动提供更为高效的解决方案，可能会彻底改变电力电子设备的设计理念。 这种新的驱动电路包含多个核心组件，包括电源管理IC、驱动隔离IC、以及隔离变压器等，展现了 ...

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。 SiC MOSFET的阈值电压（VGS (th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC ...

4月8日，士兰微发布公告，披露其在碳化硅（SiC）业务上的最新成果，涵盖旗下“士兰明镓”与“士兰集宏”两大项目线，标志着公司在第三代半导体领域的加速布局与阶段性突破。 “士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目进展： ...

经历前几年的快速增长后，中国MOSFET市场正在过渡至一个更成熟的阶段，其特点是竞争加剧及市场饱和。尽管预计未来数年市场增长率将放缓，中国MOSFET市场的总市场规模预计仍将由2024年的约60亿美元增至2029年的约80亿美元，复合年增长率约为6.

Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布推出其最新的电源半导体技术创新——第4.5代650V E系列电源MOSFET，型号为SiHK050N65E。该产品的推出旨在提升电信、工业和计算领域的功率转换效率和功率密度，显著改善了前代产品的性能。 SiHK050N65E采用了先进的n-channel设计 ...

据市场调研机构Virtuemarket数据，2023年全球金刚石半导体基材市场价值为1.51亿美元，预计到2030年底市场规模将达到3.42亿美元，2024年~2030年的预测复合年增长率为12.3%。

“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”：截至 2024 年底，士兰集宏 8 吋 SiC mini line 已实现通线，士兰微Ⅱ代 SiC 芯片已在 8 吋 mini line 上试流片成功，其参数与士兰微 6 吋产品匹配，良品率明显高于 ...

碳化硅 结型场效应晶体管（SiC ...

此次合作标志着双方在功率半导体领域的合作进入新阶段。英飞凌作为全球领先的功率半导体供应商，其CoolSiC技术以高效率、高可靠性著称，特别适用于大功率电力电子设备。科士达作为国内UPS电源行业的龙头企业，此次引入英飞凌的先进碳化硅 (SiC)器件，有望显著提升其UPS产品的能效和功率密度，进一步巩固其在数据中心、工业自动化等高端应用场景的市场地位。