Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色,采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑,尺寸仅为14 mm ...
根据AI大模型测算ST华微后市走势。短期趋势看,连续3日被主力资金减仓。主力轻度控盘。中期趋势方面,下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐,且集中度渐增。舆情分析来看,目前市场情绪悲观。
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比公版强了近15%!RTX 5080 XTREME水雕猛到没朋友NVIDIA RTX 50系列首发阵容中的RTX 5080定位次旗舰,为玩家提供了强大的4K游戏性能,因此成为发烧级玩家装机的首选装备。技嘉作为NVIDIA核心合作伙伴,旗下的RTX 5080系列显卡产品也全线上阵,其中的AORUS GeForce ...
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盖世汽车 on MSNNoMIS Power在SiC短路耐受时间方面取得重大突破盖世汽车讯 据外媒报道,先进碳化硅(SiC)功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间(SCWT)方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源:NoMIS ...
日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(东芝电子元件和存储株式会社,简称“东芝”)推出了具有+6.8A/-4.8A ...
捷捷微电(300623.SZ)2月21日在投资者互动平台表示,公司下游客户众多并分散,且应用领域广泛,相关MOSFET器件产品和防护器件产品可用于机器人 ...
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持,整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间,同时最大限度延长应用寿命,这代表着碳化硅技术的一个关键进展··· 2025 年 2 月 12 日,美国北卡罗来纳 ...
Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台,为高功率应用提供显著的性能提升,尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。 第4代技术 ...
SGM61433是一款电流模式控制的非同步降压转换器,输入电压范围为4.5V至42V,连续输出电流为3.5A。集成了一个低导通电阻的MOSFET作为高端开关。静态电流低至148μA。关断时(EN = 低电平),关断电流降至2.6μA。内部欠压锁定(UVLO)阈值为4.2V,并且可以通过外部 ...
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