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人民财讯5月10日电,5月9日, 扬杰科技 SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工。本次开工项目计划总投资10亿元,项目聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块,SiC MOSFET模块等第三代半导体产品,对标国际标杆,产品技术指标直追国际领先水平,可实现进口替代。项目全面达产后,预计可实现年开票销售10亿元,税收3000万元,为地方经济发展注入强劲动力。
现有电动汽车搭载的电池,通常在经历一千至十万次充放电循环后开始出现性能衰减,而SK On的研发团队宣称已将该寿命指标提升三倍。科学家通过将锂金属阳极浸入硝酸锂等物质配制的溶液中去除原有保护层,并形成了更坚固的新保护层,延长了锂金属电池的寿命。该研究成果已于4月14日发表于《 ACS Energy Letters》。
泰高技术近期推出了业界首款支持PD3.1 ...
同日, 英飞凌发布新一代750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC™ MOSFET车规级和工业级产品,导通电阻范围7mΩ至140mΩ。
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金融界汽车 on MSN广州汽车集团申请负载配电预充电路及其控制方法专利,降低限流 ...金融界2025年5月9日消息,国家知识产权局信息显示,广州汽车集团股份有限公司申请一项名为“一种负载配电预充电路及其控制方法”的专利,公开号CN119944891A,申请日期为2025年1月。 专利摘要显示,本申请涉及一种负载配电预充电路及其控制方法,包括预充电开关电路、限流电路、电压采样电路、MCU 和功率开关;限流电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和 ...
Littelfuse SMFA非对称系列TVS二极管可保护SiC-MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。根据所需的SiC-MOSFET最大栅极额定电压,SMFA封装可从17.6~23.4 V的正击穿电压中选择,同时负向击穿电压被设置在7.15V。有关元件的详细信息,请参见表1。 SMFA非对称TVS根据IEC 61000-4-2标准进行测试,采用SOD-123FL扁平封装。
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盖世汽车 on MSN意法半导体推出符合ASIL D安全等级的1200V隔离栅极驱动器盖世汽车讯 据外媒报道,意法半导体(STMicroelectronics)推出一款符合ASIL D安全等级的1200V隔离栅极驱动器,适用于SiC MOSFET和IGBT。 图片来源:意法半导体 ...
回顾最近几年尚鼎芯的业绩表现,2023年公司营收与净利双双下滑两位数。不仅如此,尽管营收规模尚在1亿元徘徊,但于期内尚鼎芯豪爽分红8000万元,种种迹象均让外界质疑尚鼎芯此次IPO募资的合理性与必要性。
2025年4月15—17日, 珠海镓未来科技有限公司 携多款Power GaN 新品亮相全球电子行业的顶级盛会——慕尼黑上海电子展,本届展会汇聚了1700余家展商并吸引了超10万的专业观众。镓未来位于N5馆的展台(N5.644)以 “技术领先·绿色能源·高效环保” 为核心,吸引了来自消费电子、汽车、能源等多领域的客户以及行业专家驻足交流。镓未来始终秉持初心,立志于为业界提供 “最好用、最可靠” ...
Vishay 推出采用 PowerPAK® SO-8S(QFN 6 x 5)封装的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 沟道功率 MOSFET,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用 PowerPAK SO-8 封装的器件相比, Vishay Siliconix SiRS5700DP 的总导通电阻降低了 68.3 %,导通电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中 ...
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