通过SoniC板，Future Electronics开发了一种成功的架构，在满载时实现97.4%的峰值效率。 · 四个onsemi NTH4L045N065SC1650-V SiC MOSFET开关，位于初级侧，其在15 V门源电压下的典型导通电阻为45 mΩ。 · 四个onsemi NCD57000隔离高电流门驱动器，位于初级侧。 · 一个绕制的线圈和 ...

【内容部分有删减·详细可参中智信投研究网出版完整信息！】 在现代电力电子与半导体技术飞速发展的今天，N沟道功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为电力电子器件中的重要成员，凭借其独特的性能和广泛 ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode ...

安森美 (onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。

2025年3 月 18日--安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高 ...

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！芯片圈欧盟要求苹果开放iOS系统欧盟又要为苹果用户带来新“福利”了。欧盟要求苹果开放九项功能，允许第三方设备（如智能手表、耳机等）接入，包括：iOS通知推送、后台应用运行、SharePlay与音频切换 ...

什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件开发电源系统。这些器件因各自特性（优 ...

据消息人士称，陈立武正在考虑对公司的芯片制造和人工智能战略进行全面改革，包括裁减中层管理人员和改革公司的芯片制造方式。据悉，在上周被任命为CEO后举行的全员大会上，陈立武已经公开表示公司需要做出“艰难的决定”，才能让公司重回正轨。

纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF ...