盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源：NoMIS Power 碳化硅（SiC）器件因其高效率、快速切换和卓越的热性能而在电力电子领域占据了重要地位。然而，与硅基IGBT相比，其短路耐受性一直较低，这对 ...