Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200V SiC MOSFET
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ...
英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...