英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode ...

电力电子行业的“SiC时代”已不可逆转。以下从多个角度分析这一现象的核心逻辑： 一、性能优势的全面碾压 高温稳定性与导通损耗 碳化硅MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在高温下增幅远小于超结MOSFET。例如，在150°C时，SiC MOSFET的RDS(on)比超结器件低约15%，显著降低 ...

低RDS(on)：常温（25°C）下导通电阻为40mΩ ... 兼容主流拓扑：通过双脉冲测试验证了在无桥PFC、LLC、三相全桥等拓扑中的适用性。 总结 国产第三代650V SiC MOSFET（B3M040065Z）在导通电阻、高温稳定性、开关效率及驱动方案上表现突出，尤其在动态损耗和抗干扰设计 ...

MP6636 是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器无刷直流 (BLDC) 电机驱动器。 它采用无传感器磁场定向控制 (FOC)来提高效率并降低振动。 MP6636 是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器无刷直流 (BLDC) 电机驱动器。 它采用无传感器磁场定向控制 (FOC)来提高效率并 ...

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC MOSFET结合后，LLC在高频、高温、高可靠性场景中的性能进一步提升，成为下一代高效电源系统的关键技术。

EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 新产品在其他电商平台也将逐步发售。 *1）导通电阻（RDS(on)） MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。 *2）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流 ...