图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

如今，所有 PFC 级均采用 SiC MOSFET 作为快速开关桥臂，并使用硅基超级结 MOSFET 作为相位或慢速桥臂。 与硅 MOSFET 相比，SiC MOSFET 性能更优、能效也更 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。JBjednc 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。如今 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料(如碳化硅 (SiC))的 MOSFET。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

[导读]在LED照明技术持续演进的背景下，功率半导体器件的性能成为制约系统效率与可靠性的核心因素。碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高开关频率、低导通损耗与高温稳定性，逐渐成为LED驱动电路的首选方案。然而，SiC MOSFET的驱动设计需 ...

这项专利的申请日期为2025年2月，标志着旭矽半导体在功率半导体领域的又一次重要突破。 SIC MOSFET器件：功率半导体的未来方向SIC MOSFET器件因其卓越的耐压性能和低开关损耗，被认为是下一代功率半导体的核心技术。旭矽半导体的这项专利通过创新的高K材料 ...

目前，车规级SiC MOSFET有两种电压等级：650V和1200V。其中，1200V SiC MOSFET的比导通电阻范围约为3-4 mΩ·cm²，其中沟道电阻对导通电阻的贡献很大，约为0.5mΩ·cm²，这增加了总传导损耗。 沟槽栅SiCMOSFET在降低沟道电阻方面比较有优势，透过沟槽刻蚀，它利用 (11–20 ...